前言
在能源效率革命与电力电子小型化需求的双重驱动下，氮化镓（GaN）技术正以"第三代半导体"之姿重塑全球功率器件产业格局。2025年，随着新能源汽车、光伏储能、AI算力等万亿级市场对高效电能转换的迫切需求，全球氮化镓头部企业掀起新一轮技术竞逐。
充电头网也汇总了近期全球氮化镓头部企业推出的各大新品——Power Integrations以1700V氮化镓开关IC突破电压瓶颈，纳微半导体开创双向功率芯片新纪元，英诺赛科则在热管理与系统集成领域树立新标杆。接下来充电头网将详细介绍一下这些新品。
Infineon英飞凌
英飞凌CoolGaN功率晶体管
英飞凌的CoolGaN晶体管是基于氮化镓技术的高性能功率器件。其采用增强型（E-mode）高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，工作电压覆盖 40V 至 700V 范围，具备超快速开关速度、极低的开关损耗（零反向恢复电荷）及出色的动态导通电阻特性。
通过优化栅极电荷和输出电容，CoolGaN晶体管在硬开关和软开关拓扑中均表现优秀，可有效提升系统效率和功率密度，同时支持高频运行，助力设备小型化与轻量化。器件提供多样化封装，兼容行业标准，可简化设计流程并加速产品上市。在音频放大器中CoolGaN晶体管进一步提高了音频质量，使总谐波失真（THD）降低70%，实现了更加精准、细腻的声音体验，并通过减少40%的待机电流大幅提升了能效。
Innoscience英诺赛科
英诺赛科 INN100EA035A
英诺赛科推出 100V GaN 功率器件 INN100EA035A，采用先进的双冷却 En-FCLGA 封装，通过优化热管理将导热率较传统单冷却方案提升65%，有效降低工作温度并提高系统效率。该器件具备3.5mΩ超低导通电阻、低栅极电荷、低开关损耗及零反向恢复电荷特性，针对AI服务器48V DC-DC电源及高密度应用场景，可较传统MOSFET方案降低35%以上系统功率损耗，同时提升20%的功率密度。
该产品采用双面散热设计通过垂直电流路径优化PCB布局，减少寄生电阻，简化了从硅基MOSFET向高性能GaN方案的升级替代。该产品系列覆盖1.8mΩ至7mΩ导通电阻范围，适用于AI GPU供电、数据中心电源等场景。
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